晶体管元件查询
型号：WMN14N65C2
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：85 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.405 Ω
封装：TO-262
更多N沟道场效应管SGF180N65W3FHP150N06UV250N08RSTD6N95K5FCH25N60NBUZ30ANCE30H10K3SK201IRFP260MPbFIPD60R600P7S(60S600P7)IRFJ223IRFIP140IRFP4768PbF2SK1653IRFJ121