晶体管元件查询
型号：WMP14N65C2
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：85 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.405 Ω
封装：TO-251
更多N沟道场效应管MTP10N25FLM7785-4C/D2SK1233WFP8N60IRFJ133CS120N08CS20N50IPS65R600E6(65E6600)DMFP84N06NIRLR024NCE01H21TDHB32052SK4086NVMYS7D3N04CLSGW190N65SJ