中国半导体器件型号命名及含义
发布时间 2008-07-14
中国半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、 PIN 型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：
第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时： A（N 型锗材料）、 B（P 型锗材料）、 C（N 型硅材料）、 D（P 型硅材料）。
表示三极管时： A （PNP 型锗材料）、 B（NPN 型锗材料）、 C（PNP 型硅材料）、 D（NPN 型硅材料）。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的类型。
P（普通管）、 V（微波管）、 W（稳压管）、 C（参量管）、 Z（整流管）、 L（整流堆）、 S（隧道管）、 N（阻尼管）、 U（光电器件）、 K（开关管）、 G（高频小功率管）、 D（低频大功率管）、 X（低频小功率管）、 T（半导体晶闸管）、 Y（体效应器件）、 B（雪崩管）、 J（阶跃恢复管）、 CS（场效应管）、 BT（半导体特殊器件）、 FH（复合管）、 PIN（PIN 型管）、 JG（激光器件）。
第四部分：用数字表示序号。
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。
示例：
2AP9
2（二极管）； A（N型锗材料）； P（普通管）； 9（序号）
3DG18
3（三极管）； D（NPN 型硅材料）； G（高频小功率）； 18（序号）
3AX81B
3（三极管）； A（PNP型锗材料）； X（低频小功率管）； 81（序号）； B（规格号）