场效应晶体管(Field Effect Transistor)英文缩写FET,简称场效应管,是根据晶体三极管的原理开发出的新一代放大元件,由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。场效应管有3个电极:栅极,漏极,源极。栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件。它同时具有噪声小、功耗低、动态

2008-7-6

电路组成: 图中R1、C1、L为吸收网络,防止可控硅开、关时产生的尖峰脉冲对其它电气设备产生的干扰。VR、R2、C2、R3、C3组成可调积分电路,控制双向可控硅VS的导通角,从而控制输出电压。 元件选择: R、C参数如图所示。电位器VR为0.1W。L用0.3mm高强度漆包线在510mm的工字形磁芯上绕100匝,也可在0

李应杰 2008-6-2

这个调频无线话筒电路采用了两只晶体管,BG1用作音频放大,BG2用作高频振荡。其中电感线圈L是用一段直径0.5mm高强度漆包线在3毫米钻头上绕5圈,间隔约5.5毫米。电阻用1/16瓦的RTX型号,除电解电容外,其他电容用小型CC1型瓷片电容。晶体管可用3DG8(或3DG6),要求>100。话筒用小型电容话筒,改变电阻R

2008-5-21
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
电子爱好者 DIANZIAIHAOZHE.COM