这是一台150W调频发射机放大器,88-108MHz频段。该放大器有两个放大阶段,使用BLF244场效应晶体管的第一阶段,需要0.5-1瓦RF输入功率,以获取约20瓦特输出功率,驱动最后放大阶段的SD1407可以获取接近200瓦的输出功率。这样的设计或更多或更少的宽带,我添加两个可变电容器在每个阶段获得最佳匹配。确保最

2014-5-14

该调频发射电路采用四射频阶段:晶体管BF494(T1)构成甚高频振荡器,晶体管BF200(T2)是前置放大,晶体管2N2219(T3)是驱动级,晶体管2N3866(T4)是功率放大级。电容式麦克风连接在振荡器的输入端,用语音调制振荡器频率。 1瓦调频发射机电路简单。当你靠近麦克风说话,频率调制信号在振荡器晶体管T1的

2014-5-14

这是一个简单的齐纳二极管测试仪,测试的齐纳二极管的击穿电压高达120伏特。这个电路的主要优点是它的工作电压为6V直流电,消耗小于8mA电流。该电路可以安装在9V电池箱中。盒子的三分之二可用于四个1.5V电池,剩下的三分之一足够容纳该电路。 在这个电路使用一个初级230V,次级18V带中心抽头500mA的常用变压器,初

2014-5-14

这是一个方便的小工具,用来测试电子设备的红外信号遥控发射器,电路图如下。 红外传感器模块接收到遥控发射器的信号,其2引脚输出低电平,开关晶体管T1导通,使LED1闪烁,同时蜂鸣器发出哔哔声。遥控器上不同的按钮会产生不同的脉冲变化率,从LED闪烁状态或蜂鸣器发出的哔哔声会有变化。当传感器模块没有检测到红外信号时,输出引

2014-5-14

该电路是一个基于MOSFET的线性稳压器,1安培电流时低至60mV 的电压降。 具有较低的漏极与源极导通电阻RDS(ON)的场效应管(MOSFET)是减少电压差的关键。图1中的电路采用双15伏降压变压器,采用N沟道MOSFET的IRF 540,直流12V输出,输入直流可低至12.06伏。MOSFET栅极所需驱动电压使

2014-5-13

很多电路中使用运算放大器,但其主要缺点之一是需要一个双电源供电。这严重限制了它们的应用范围,很多时候双电源是不可行的。该电路在一定程度上解决了问题。从一个正电源产生一个负电源。这个负电压和正电压可同时供应需要双电源的电路。 电路的操作可以解释如下: 555 IC作为一个多谐振荡器,频率约1kHz工作。在IC的引脚3输

2014-5-13

锯齿波发生器可以是使用一个简单的555定时器IC、三极管在电路图所示的创建。 请注意,锯齿波信号在电容器的两端输出。该1N4001二极管使电容两端的最低电压接近0V。 该电路的频率 了: f = (Vcc-2.7)/(R*C*Vpp) VCC = 电源电压 VPP = 峰值所需的输出电压 选择合适的R,C,VPP 和

2014-5-13

这个电路使用一个用于高保真音频系统的集成芯片BA3812L,实现了五频段图形均衡器。该BA3812L五点图形均衡器,有所有需要的功能集成到一个芯片。集成电路是由五个音调控制电路、输入和输出缓冲放大器组成。该BA3812L具有低失真,低噪声,大动态范围的特点,是高保真音响应用的一个理想选择。也具有较宽的工作电压范围(3.

2014-5-13
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