三极管是高频管还是低频管可以查阅手册得知,如果有专业仪器则可以在测量中看出。如果这两方法都办不到又不知三极管参数,也可以用指针式万用表做一个简单判断。这里以500型万用表为例,介绍利用万用表测试区分高频管和低频管的办法。   由于高频管和低频管的发射结反向电阻存在很大的差异,由此原理便可对三极管进行测试判断。方法如下:

2009-4-28

BU406/406H塑封大功率三极管封装外形(TO-220): 管脚从左至右极性:1、基极;2、集电极;3、发射极 BU406、BU406H三极管部分参数: V CBO =400V V CEO =200V V EBO =6V I C =7A I CP =10A I B =4A P C =60W T J =150℃ T

2009-4-24

BU407/407H塑封大功率三极管封装外形(TO-220): 管脚从左到右依次为:1、基极;2、集电极;3、发射极 BU407、BU407H主要参数: V CBO =330V V CEO =150V V EBO =6V I C =7A I CP =10A I B =4A P C =60W T J =150℃ T ST

2009-4-24

I CBO  三极管发射极开路,集电极C和基极B之间的反向漏电流。 I CEO  三极管基极开路,集电极C和发射极E之间的反向漏电流。 I EBO  三极管集电极开路,发射极E和基极B之间的反向漏电流。 I C  集电极电流。 I CM  集电极最大允许电流。 P C  集电极耗散功率。 P CM  集电极最大耗散功率

2009-4-14

一、1815三极管引脚定义图 二、1815三极管封装尺寸 三、1815三极管参数 集电极-基极击穿电压(V CBO ):60V 集电极-发射极击穿电压(V CEO ):50V 发射极-基极击穿电压(V EBO ):5V 集电极电流(I C ):150mA 基极电流(I B ):50mA 耗散功率(P C ):400

2009-4-13

㈠ 三极管9013引脚图 ㈡ 三极管9013参数 最大耗散功率(P CM ):0.625W 最大集电极电流(I CM ):0.5A 集电极-发射极击穿电压(V CEO ):25V 集电极-基极击穿电压(V CBO ):45V 发射极-基极击穿电压(V EBO ):5V 集电极-发射极饱和压降(V CE ):0.6V 特

2009-4-13

单结晶体管触发电路之一 图1(a)是由单结晶体管组成的张弛振荡电路。可从电阻R1上取出脉冲电压ug。 (a) 张弛振荡电路          (b) 电压波形 图1 单结晶体管张弛振荡电路 假设在接通电源之前,图1(a)中电容C上的电压uc为零。接通电源U后,它就经R向电容器充电,使其端电压按指数曲线升高。电容器上的

2009-3-20

单结晶体管的结构 单结晶体管又称为双基极二极管,它的结构如图1所示。在一片高电阻率的N型硅片一侧的两端各引出一个电极,分别称为第一基极B1和第二基极B2。而在硅片是另一侧较靠近B2处制作一个PN结,在P型硅上引出一个电极,称为发射极E。两个基极之间的电阻为RBB,一般在2~15kW之间,RBB一般可分为两段,RBB =

2009-3-20
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