双向触发二极管对于电子爱好者来说是比较熟悉的,在可控硅调压电路、日光灯电子整流器中都可以看到双向触发二极管的身影,本篇整理了有关双向触发二极管的知识文章,供大家学习参考。 双向触发二极管介绍之一 双向触发二极管是与双向晶闸管同时问世的,常用来触发双向晶闸管。结构、符号、等效电路和伏安特性见下图: 双向触发二极管除用来

2009-3-23

肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。   因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断

2009-3-21

单结晶体管的结构 单结晶体管又称为双基极二极管,它的结构如图1所示。在一片高电阻率的N型硅片一侧的两端各引出一个电极,分别称为第一基极B1和第二基极B2。而在硅片是另一侧较靠近B2处制作一个PN结,在P型硅上引出一个电极,称为发射极E。两个基极之间的电阻为RBB,一般在2~15kW之间,RBB一般可分为两段,RBB =

2009-3-20

霍尔元件是磁传感器,其原理基于霍尔效应,霍尔传感器将磁场的变化转换为电位差的变化。本文介绍霍尔元件的原理、结构、使用方法和应用电路等。    霍尔效应   如图1所示,霍尔效应是指 将电流I 通至一物质,并对与电流成正角之方向施加磁场B 时,在电流与磁场两者之直角方向所产生的电位差V 之现象 。此电压是在下列情况下所产

2009-3-19

场效应管(Fjeld Effect Transistor简称FET )是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件,故因此而得名。场效应管是一种电压控制器件,只依靠一种载流子参与导电,故又称为单极型晶体管。与双极型晶体三极管相比,它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、功耗小、制造工艺简单和便于集成化等

2009-3-8

MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),属于绝缘栅型。   其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻。它也分N沟道管和P沟道管,符号如图1所示。通常是

2009-3-8

TA8427K集成电路用于场扫描输出电路,单列7脚封装,输出电流2.2Ap-p,最大输出电流=2.2Ap-p,最大功耗=15W,工作温度=-20~85℃。 TA8427K应用电路 在TCL 2501彩电上测得的TA8427K参数 序号 符号 功能

2009-3-4

1.电流电压特性   红外发光二极管其电气的电路符号及特性曲线,如图1所示。阳极(P极)电压加正,阴极(N极)电压加负,此时二极管所加之电压为正向电压,同时亦产生正向电流,提供了红外发光二极管发射出光束的能量,其发光的条件与一般的发光二极管(LED)一样,只是红外线为不可见光。   一般而言砷化镓的红外线发光二极体约须

2009-3-2
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