下面的触摸开关电路点亮20瓦的灯,当触点被触及,皮肤电阻约为2兆欧或更少。在左侧的电路采用了功率MOSFET的导通时,源极和栅极之间的电压大约是6伏。MOSFET的栅极不汲取电流,从而在所述栅极上的电压将是电源电压的一半或6伏,当跨越触摸接触电阻等于源极和栅极之间的固定电阻(2兆欧)。 右边的电路使用了三个双极型晶体

2014-3-13

文氏桥振荡器的三个例子如下所示。 第一个使用三个双极型晶体管。第二个使用的双极晶体管和JFET,第三个是采用一个运算放大器为最小的部位更受欢迎的类型。 我们的想法是产生于一些特定的频率使用2个电阻和同等价值的上限360度相移。一个电容和电阻是串联的,而另一个电容和电阻并联。通过网络的信号损失约为66%,因此放大器的

2014-3-13

分立元件功放虽然制作较为复杂,对理解功率放大原理却有很大帮助,现为两款分立元件功放电原理图,正负双电源OCL电路模式,元件参数均已标出,供电子爱好者制作参考。 1、12管双极型晶体管OCL功率放大电路(点击电路图放大) 2、双极型晶体管、场效应晶体管混合OCL功率放大电路(点击电路图放大)

2009-6-27

3DG9018是硅NPN型高频小功率双极型晶体管,主要用于调幅调频中频放大器及VHF调谐器的本振。 管脚排列: 1脚:发射极E; 2脚(中间):集电极C; 3脚:基极B 3DG9018的特点如下: 频率特性好 反向漏电小 饱和压降低 电流特性好 封装形式 TO-92 3DG9018极限参数(除非另有规定 Tamb= 2

2009-6-13

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。下面介绍用万用表检测IGBT管的方法。   IGBT管好坏的

2009-5-22

一、单极型晶体管   单极型晶体管也称 场效应管 ,简称FET(Field Effect Transistor)。它是一种电压控制型器件,由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子(多数载流子)参与导电,故称为单极型晶体管。   特点:   输入电阻高,可达10 7 ~ 10 15 ,绝缘栅型

2009-5-7
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