型号 厂家 方式 漏源极电压(V) 漏极电流(A) 最大功耗(W) 封装形式 IRFP341 IR N 350 10 150 TO-247AC IRFP342 IR N 400
2009-3-14
这两个原理图是我设计的另一种脉宽调制（PWM）电路。该图是为12V电压设备使用的两个版本。负极端控制版本使用一个N沟道FET，正极端控制版本采用了P沟道FET。N沟道器件处理更大的电流和成本小于P沟道器件。当负载的一侧上具有接地电路，正极控制版本是有用的。 12V负极控制PWM电机/灯光控制器 12V正极控制PWM电机/灯光控制器 该电路可以切换相当高的量的电流，IRFZ34N MOSFET如果连接到一个适当的散热器可处理超过35安培。高功率FET，如IRFZ48N或IRF1010Z可以如果甚至
2014-3-3