Vmos场效应管(VMOSFET)简称VMOS管或功率场效应管,其全称为V型槽mos场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了mos场效应管输入阻抗高(108W)、驱动电流小(0.1A左右),还具有耐压高(最高1200V)、工作电流大(1.5A~100A)、输出功率高(1~250W)、

2009-5-22

在结型场效应管中,栅极和沟道间的PN结是反向偏置的,所以输入电阻很大。但PN结反偏时总会有一些反向电流存在,这就限制了输入电阻的进一步提高。如果在栅极与沟道间用一绝缘层隔开,便制成了绝缘栅型场效应管,其输入电阻可提高到 。根据绝缘层所用材料之不同,绝缘栅场效应管有多种类型,目前应用最广泛的一种是以二氧化硅(SiO2)为

2009-3-8

mos场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),属于绝缘栅型。   其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻。它也分N沟道管和P沟道管,符号如图1所示。通常是

2009-3-8

键控式调光台灯利用两个轻触式按键调光,当轻触其中一个按键时,光线将由强变弱,轻触另一个按键时,光线便会由弱变强。   工作原理   电路原理见图1,VD1、VD2、C2、C3组成电容降压式直流电源,由mos场效应管、C1等组成双向可控硅VS的触发电路。DW为保护二极管,防止场效应管栅极击穿。当按下S1时,由R1向C1

2008-10-21

这里介绍的逆变器(见图1)主要由mos场效应管,普通电源变压器构成。其输出功率取决于mos场效应管和电源变压器的功率,免除了烦琐的变压器绕制,适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该变压器的工作原理及制作过程。 工作原理   这里我们将详细介绍这个逆变器的工作原理。 一、方波的产生   这里采用CD4069构成方波信

2008-10-21
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