晶体管元件查询
型号：10N70
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：162 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】10 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】10 A
漏极和源极电压（VDSS）：700 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.2 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管DHB180N10APT26F120B2LSD55R140GT2SK4014CMH20N50FHX05XFLR016FHHCW60R190HY3608BSTD11N65M22SK3699-01MRSLF13N50AIRFF421IRF1407PbFFQI34N20L