晶体管元件查询
型号：18N65M2
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.33 Ω
总耗散功率（Ptot）：110 W
封装：TO-220/I2PAK
TO-220
I2PAK
TO-220I2PAK更多N沟道场效应管SUM90N08-4m8PIRFJ122RU6199RCSD30N40IRFP140NIRF150LSE65R930GTFTK65T180DD(NCE65T180)2SK3637SPI12N50C3IRFF231SVF10N60TIXFN80N502SK73IRFZ20