晶体管元件查询
型号：2N6768
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：150 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】14 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】14 A
漏极和源极电压（VDSS）：400 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.3 Ω
封装：TO-204AE
更多N沟道场效应管50N062SK3773-01MRIRFS721NCE65TF180STI32N65M5SVD8N80CEF80N75TK13A60DIRFSZ35FCPF16N60IPP60R099C6(6R099C6)BUK457-600BIRFB7437PbF2N6802LSC60R280HT