晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：3SK112
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：0.2 W
漏极电流（ID）：0.05 A
漏极和源极电压（VDSS）：10 V
封装：4-125A

更多N沟道场效应管2SK1275HY3210B4N65P20N65YIXFV96N20PTK6P65WIRFK2D054IRFZ46NS/LSP75N18DHB80N082SK1358STB20N65M5FSX52WFLNH7N65DAOD472

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