晶体管元件查询
型号：LNH7N65D
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：100 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.4 Ω
封装：TO-251
更多N沟道场效应管FQI34N20LIXTH9N95TW015N65C2SK3050JCS4N60C2SK168SSH8N80AMGF1100SPA20N60C3MTP10N25OSG65R1K4DNP80N055CLEMTP4N18STU6NA100HY5208A