晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：4S1B
类型：NPN三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：7.5 W
集电极最大允许电流（ICM）：1 A
集电极与基极反向击穿电压（BVCBO）：50 V
集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：45 V
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：500 μA
特征频率（fT）：70 MHz
直流放大系数（hFE）：≥15
芯片材质：硅

更多NPN三极管4S1A4S1C3DA1C4S31A3DA1063DA1A3DA69ABR101B3DA1B4S31BBD1203DA76DBR100B3DA21A3DA10A

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