晶体管元件查询

电压 V  电流 A
型号:4S1C
类型:NPN三极管
集电极最大耗散功率(PCM):7.5 W
集电极最大允许电流(ICM):1 A
集电极与基极反向击穿电压(BVCBO):70 V
集电极与发射极反向击穿电压(BVCEO):60 V
集电极与发射极反向漏电流(ICEO):200 μA
特征频率(fT):100 MHz
直流放大系数(hFE):≥15
芯片材质:

更多NPN三极管3DA1A2SC27174S31BBD1203DA1B4S1BBR100B3DA1C3DA21BBR101B3DA21A3DA1063DA10A3DA10B3DA76

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