晶体管元件查询
型号：CS8N50
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.9 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管IXFT44N50PXP65AN1K2ITIRFZ22FQPF13N50CBUK455/600B2SK676FDPF20N50HY3410PSFMH11N90E75NF75LSGC085R041W3UV4004RSTP55NF06FPSTP7NK80ZFPFHP5N60A