晶体管元件查询
型号：CS8N65F
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：38 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1 Ω
封装：TO-220F
更多N沟道场效应管APT26F120LFLM1112-4CHY3312PSSSH6N80BUZ332SGW420N80W3DHB130N03IRF820DHE540DHE85N055R2SK6492SK214MGFC36V7785SVT077R5NSSGM2006M/P