晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：SGM2006M/P
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：0.15 W
漏极电流（ID）：0.055 A
漏极和源极电压（VDSS）：12 V
封装：4-198/340

更多N沟道场效应管DH1404TP20N60FJDSVD8N60SGI360N60W3LSH65R950HTIRFS721FDA28N50SVF4N60A2SK3767IXFH15N100Q3LSGN085R065W3FHX15FA/LGIRFP143LSE65R180GT2N4416

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