晶体管元件查询
型号：FQA8N100C
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：225 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
漏极和源极电压（VDSS）：1000 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.45 Ω
封装：TO-3PN
更多N沟道场效应管SGB600N70W3TK18A50DFDP047N08BUZ357FLM5964-25DCEBF630LSH60R1K4HTIXFK180N10S85N16RIXFH150N17TBSC054N04NS(054N04NS)2SK3747AOD4782SK3233CS10N60F