晶体管元件查询
型号：FQP12N60C
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：225 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.65 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管STH60N1050N20SVG076R5NDFQP10N60CSVF7N65CMJSTF2HNK60Z2N3958S85N16RSVF18N50FSP75N75CEB80N75MTP5N20SVG076R5NSSTW33N60CRSS063N08N