晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：H6N80
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：170 W
漏极电流（ID）：4.2 A
漏极和源极电压（VDSS）：800 V

更多N沟道场效应管IRF352IRF448IRFZ22BUK456/800A2N7075STW10NC60RFP8N20IRFSZ34SGW180N65W385N08TSTW8NB90HYG028N10NS1P(G028N10)LSG65R650HTSVD12N65MGFK39V4045

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