晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：HY1001B
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】115 W
漏极电流（ID）：80 A
漏极和源极电压（VDSS）：70 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0085 Ω
封装：TO-263

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