晶体管元件查询
型号：HY5012W
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：500 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 A
漏极和源极电压（VDSS）：125 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0036 Ω
封装：TO-247
更多N沟道场效应管2SK3518-01MRBSC070N10NS5(070N10N5)LSH60R280HT2SK1275IRFK6JC50SPP20N60S5IXFH6N100LSGE06R034W32SK4017IRFD121IRFAE52IRFK4JC50BUK563-100AMGF2172RM10N600LD