晶体管元件查询
型号：RM10N600LD
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】67 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】67 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】10 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】10 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.36 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管HYG016N04LS1B2N4393IRFP260MPbFFLC053WG2SK791STB14NK50ZT4BSS912SK320TK065Z65ZJCS4N65RIXFK180N10SPP15N60C32SK4113MDP15N60GIRFB11N50A