晶体管元件查询
型号：HYG035N10NS2P
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】220 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】220 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】180 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】180 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.004 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管STB12NM50T4LNH05R075IRFJ242FLM1213-8CSTW70N60DM22SK3473LSE60R180HT9N70IPA60R280E6(6R280E6)MDE1991SiHF740SBSC0402NSIRF220DHB3205ASTW14NK50Z