晶体管元件查询
型号：IRF630M
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】9 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】9 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.4 Ω
总耗散功率（Ptot）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】75 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】75 W
封装：TO-220
更多N沟道场效应管SPP11N65C3S85N10RIPA60R190C6(6R190C6)FSC10LFCEB85N75HY3610PSLSF65R380HTIRF321TK12A60D12N65LLSE65R570GTCS150N03BF245BFLM4450-12DABUZ84