S85N10R参数_晶体管元件查询_电子爱好者

晶体管元件查询

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型号：S85N10R

类型：N沟道场效应管

耗散功率（P_D）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】208 W

漏极电流（I_D）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A

漏极和源极电压（V_DSS）：85 V

漏极和源极通态电阻（R_DS(on)）：0.007 Ω

封装：TO-220

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