晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：IRFS640B
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】43 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】18 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.18 Ω
封装：TO-220F

更多N沟道场效应管TSF8N60MIRLD024HM20N50AFHP80N08BIRFF231BSV81CS830A4RDIXFH1N90SVT077R5NTS85N10SSVF4N60A2SK2962IRC531IRF331IRFK3D250

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