晶体管元件查询
型号：IXFR27N80Q
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】500 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】500 W
漏极电流（ID）：27 A
漏极和源极电压（VDSS）：800 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.32 Ω
封装：TO-247
更多N沟道场效应管FLS31IPI200N25N3G(200N25N)2N6759SSF7509LSGN10R085W32SK1345IRFSL4310PbFFDPF18N50TFTP18N20IRFS625IRF121HY029N10BFTW30N20AIRFJ321IXTH6N90