晶体管元件查询
型号：LSGN10R085W3
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：96 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】60 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】60 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0085 Ω
封装：DFN5×6
更多N沟道场效应管AOT14N509N50BLNC12N60STK0760PNEZ1011-2AFHP3205BIRFI644IXTH11N95WGF13N50SEJCS5N50FTFLM8596-8CSVF8N65RU190N08LNG05R230STB7NK80ZT4