晶体管元件查询
型号：IXTA50N25T
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】400 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】400 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】50 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】50 A
漏极和源极电压（VDSS）：250 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.06 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管IRFP443DHF540DHI070N06IRF8332N3972UV3205RBSS127STP9NK70ZFPMDF5N50FIXFH15N100Q3SPB20N60C3FQA40N252SK511FLL351ME2SK1243