晶体管元件查询
型号：LNE10N65
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：130 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】10 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】10 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管SVF8N60AAOD5N40IRFAC40HY3312PSTW20NM602SK677H5SSP6N602SK3116IRFK6H250IXTH11N100SGF450N50W3SGW210N60SJLSE65R380GFSSH8N80A2SK1350