晶体管元件查询
型号：HY3312P
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】278 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】278 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】130 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】130 A
漏极和源极电压（VDSS）：125 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.009 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管FCH25N60NMTP4N502N6798IRFD1Z3IRF840FISTW8N80IPI110N20N3G(110N20N)2SK555LND10R180TTB145N08AIRFZ44VPbFRU75N08RSVF13N50FFDP5N60NZSTB55NF06