晶体管元件查询
型号：MDP1932
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：209 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】175 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】175 A
漏极和源极电压（VDSS）：80 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0034 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管DHI3205TLSD80R350GTIRFB411534N80MTP12N20IRFP4242PbFYMP200N08QDH3278SVF1N70HCF60R190IRFJ1322SK4115STP140NF75MTP4N502SK2478