晶体管元件查询
型号：MTM4N50
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：75 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.5 Ω
封装：TO-3
更多N沟道场效应管LSH65R930GTLSC65R180HT09N03L2SK569LSE60R125HTIRFS823HY3208BCRST065N08NSMK0460FSTF18N60M2WFF13N50STP7NK80ZFPLB85N10GTSM48062SK2141