晶体管元件查询
型号：NVMYS011N04C
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】28 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】28 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】35 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】35 A
漏极和源极电压（VDSS）：40 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.012 Ω
封装：LFPAK4
更多N沟道场效应管IPB120N06S4-H1(4N06H1)DHI1404T2SK3607BUK437/400BIRFP3522SK668IRFF120STP8NK80ZFPNTMFS006N08MCSGT450N50W32SK1687RU6199R3SK1122SK587LSC65R380GT