晶体管元件查询
型号：RU75110R
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：188 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】110 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】110 A
漏极和源极电压（VDSS）：75 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.007 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管14N10LSGN04R029IRFJ131IRFK4J350FQA160N08CJQ08N02KDHI3205A2SK2611IPA60R400CELSE55R140GTBUK471-100BIRF7412SK301-RFSX53W/WFMGF2205