晶体管元件查询
型号：S85N12RP
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】230 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】230 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
漏极和源极电压（VDSS）：85 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.007 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管HPP120N08STACSD30N55LSG60R1K4HTIPP120N06NFMH06N90ECHM94TSVG076R5NKLIPS60R400CEJ309FDH210N08SM4N60SIRFF133BRFL11N70IXFH150N17THV82