晶体管元件查询
型号：LSG60R1K4HT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：30 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】3 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】3 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.4 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管STP18N60M2LSD65R380HTSUP70N03-09BPSTW9NK70Z2SK2349IXFT26N502SK3567LNN10R180UF100N07FTP06D85LSG65R950HTIXTH40N50L2LNG04R035BMGFC36V4450HY3208B