晶体管元件查询
型号：SGB1K1N65W3
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：5 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.1 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管FDPF20N50THYG035N10NS2BFHP120N7F6AMGF1304AAO3400LND04R035BIRL5102SK354ATK62Z60XTF12N65DH90N055RIRF3205LNL04R075STW6NA80PHB50N06LT
更多N沟道场效应管FDPF20N50THYG035N10NS2BFHP120N7F6AMGF1304AAO3400LND04R035BIRL5102SK354ATK62Z60XTF12N65DH90N055RIRF3205LNL04R075STW6NA80PHB50N06LT