晶体管元件查询
型号：HYG035N10NS2B
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】220 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】220 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】180 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】180 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.004 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管AO3416SPW35N60CFDFLM3742-4B/DFMH19N60EFQP20N60FTA08N60CIPA60R600P7S(60S600P7)CS20N60IRF231P20N60TD2IRFP4227PbF2N3824MGFK38V2228FSX03FA/LGSGF160N60W3