晶体管元件查询
型号：SQD50N04
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：83 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】50 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】50 A
漏极和源极电压（VDSS）：40 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.009 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管IRC644SGT280N65W32SK28872SK2645JCS20N60CAHS85N10RSGT360N60W3LSB55R055GFMDP10N055TH2SK2389IPS60R400CE2SK4108HMS85N95DPFF730ELNE07R085H