晶体管元件查询
型号：SSF65R650S2
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】30 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】30 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7.8 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7.8 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.65 Ω
封装：TO-220F
更多N沟道场效应管JCS4N60VLND7N6512N60AIXTP50N25TDHD80N08MGFC36V7785VCRR65T180BSC014N04LS(014N04LS)2SK13502SK248518N502SK364IRF740F2SK1548-01MRIRFU422