晶体管元件查询
型号：VCRR65T180
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】188 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】188 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】21 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】21 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.18 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管S70N08RIXFH1N90HY4504WSVT077R5NDFQD2N100DHI85N055RLSGC085R041W3IRFIP350NCEP40T15AGUYMP200N08Q2SK3566WMO14N65C2JCS20N65FHAOD406IRFD1Z0