晶体管元件查询
型号：SUB85N03-04P
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：166 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】85 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】85 A
漏极和源极电压（VDSS）：30 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0043 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管STB20NM60T4NCE65TF180IRFU210IRFZ48AOI4184FTP03N50DSGB650N80W3CS25N06IRF255IRF723LNC04R035B2SK3204IRFJ2312SK36152SK1221