晶体管元件查询
型号：SVF12N65S
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：210 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.64 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管LSC65R125HTSVD7N65ANCE85H21TCFLM7177-8C/D6N60DH110N15CJP08N60FDH055N15AIRF443LNF7N65DLNU2N65FLM6472-6DRU75110RMDD14N25CIPP220N25NFD