晶体管元件查询
型号：TSF5N60M
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：45 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4.5 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4.5 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2.2 Ω
封装：TO-220F
更多N沟道场效应管IRFJ333AF85N03LNH4N60STW20NK50ZBUZ22IRFR422FSA10N60ADHE3205PFLM5964-25DSGW180N65W3IRF841CMP100N03SGF280N65W3AOI508LNL045R300