认识场效应管

　　场效应晶体管（Field Effect Transistor）英文缩写FET，简称场效应管，是根据晶体三极管的原理开发出的新一代放大元件，由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。场效应管有3个电极：栅极，漏极，源极。栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。它同时具有噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，是电流控制型晶体管的强大竞争者。

场效应管的分类：

1. 场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类。
2. 按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种。
3. 按导电方式:耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

场效应管的主要参数：

　　Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.
　　Up — 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.
　　Ut — 开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.
　　gM — 跨导.是表示栅源电压UGS — 对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数.
　　BVDS — 漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.
　　PDSM — 最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量.
　　IDSM — 最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM
　　Cds---漏-源电容
　　Cdu---漏-衬底电容
　　Cgd---栅-源电容
　　Cgs---漏-源电容
　　Ciss---栅短路共源输入电容
　　Coss---栅短路共源输出电容
　　Crss---栅短路共源反向传输电容
　　D---占空比（占空系数，外电路参数）
　　di/dt---电流上升率（外电路参数）
　　dv/dt---电压上升率（外电路参数）
　　ID---漏极电流（直流）
　　IDM---漏极脉冲电流
　　ID(on)---通态漏极电流
　　IDQ---静态漏极电流（射频功率管）
　　IDS---漏源电流
　　IDSM---最大漏源电流
　　IDSS---栅-源短路时，漏极电流
　　IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）
　　IG---栅极电流（直流）